详细介绍
产品介绍
1. 多用于实验室内，对试验对象等进行加热。
2. 采用二硅化钼发热体，垂直安装在炉腔两侧，更换方便。
3. 长时间使用温度1600℃，温度1700℃。
4. 采用分体结构，高温炉与控制器独立放置。
5. 独特的炉腔构筑技术 ，高温长时间使用不塌陷。
6. 温度控制系统采用嵌入式一体化触摸屏HMI，具有PID参数自整定功能。
7. 升温速率5-15℃/min，可任意设定升温过程，自动控制。同时具有手动控制功能，任意调整升温速度与目标温度。
8. 预留计算机通讯RS232接口，通过计算机实现远程控制，并记录数据及升温曲线。
9. 采用可控硅移相触发控制，变压器调压。
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